【摘要】以LC滤波器为研究对象，对4种磁场耦合参数提取方法进行了比较研究.对仅考虑器件高频特性的滤波器插入损耗性能进行分析，证明了磁场耦合效应对插入损耗性能的影响。阐述了4种磁场耦合参数提取方法的原理和实现过程。采用以上4种方法提取案例中的耦合参数，分别建立含有磁场耦合效应的滤波器模型。以插入损耗作为评价指标，使用整体误差对数频率法对插入损耗仿真结果的误差进行量化分析，进而对比了4种提取方法的准确性，对各种提取方法的误差来源和适用范围进行了讨论为近场耦合参数提取方法的选择提供依据。
【关键词】
《科技创新与应用》 2015-10-26
《科技创新与应用》 2015-10-26
《低压电器》 2015-10-26
《科技创新与应用》 2015-10-26
《科技创新与应用》 2015-10-27
《科技创新与应用》 2015-10-26
《科技创新与应用》 2015-10-27
《科技创新与应用》 2015-10-27
010-56259535
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